LEXT OLS5500 全新精准测量激光共聚焦显微镜
测量更精准，工作更安心
融合了激光扫描显微镜（LSM）、白光干涉仪（WLI）和聚焦变化显微镜（FVM）三种技术于一体。它能够提供精准的表面细节、可追溯的测量精度以及直观的用户体验，从而简化从发现到决策的整个工作流程。
- Product Status: 本产品可替代 LEXT OLS5100 及更早的 OLS 系列系统。
LEXT OLS5500 全新精准测量激光共聚焦显微镜
行业应用
学术研究
半导体
电子
金属与材料
卓越的精准成像
测量更精准，工作更安心
屡获殊荣的 LEXT™ OLS5500 让您能够以出众的清晰度识别细微特征和表面变化。通过灵活运用 LSM、WLI 和 FVM 技术，您可以精准检测缺陷、验证设计，并做出自信的决策。
精准测量每一种表面
自主研发的物镜在整个视场范围内都能保持清晰度和形状保真度，即使面对高度倾斜、反光或复杂的样品也不例外。 与边缘发生变形的传统物镜不同，LEXT 物镜能够从中心到边缘提供精确的测量结果。
采用传统 WLI 20X 物镜（左图，NA 0.4）和 Evident 20X WLI 物镜（右图，NA 0.6）拍摄的菲涅尔透镜样品对比图像。
“借助 LEXT™ OLS5500，我们能够获取高分辨率的 3D 光学图像，并从微细结构中提取有价值的表面信息，同时降低样品处理和损坏风险。”
昆士兰大学显微镜与微分析中心 Elliot Cheng 博士
聚合物薄膜的对比图像。 左图： 未采用 DIC 的激光图像。 右图： 采用 DIC 的激光图像。
未使用激光 DIC
使用激光 DIC
晶圆的拼接图像对比。 左图： 未采用智能阴影校正。 右图： 采用智能阴影校正。
未使用智能阴影校正
使用智能阴影校正
大面积无缝成像
即使在低对比度或不平坦的表面上，也能生成清晰、可靠的大面积图像，并大幅减少拼接痕迹。智能拼接算法与精确的载物台控制相结合，确保宽场成像结果准确、一致，且可直接用于报告和展示。
精准可靠的测量
准确、可信的测量
通过经过验证的 LSM、WLI 和 FVM进行测量，可显著减少重复测试、返工和拒收情况的发生。OLS5500 是一款能够同时保证 LSM 和 WLI 测量准确性与重复性*的 3D 光学轮廓测量设备。
* 根据 Evident 截至 2025 年 10 月的内部研究结果。设备必须按照制造商的规格进行校准并且不存在任何缺陷时，方可保证测量的准确性和可重复性。 校准必须由Evident的技术人员或Evident授权的专家执行。
示意图：展示准确性与重复性的区别。
确保拼接图像准确性
对于大面积测量，OLS5500 通过将电动载物台与集成长度测量模块及先进的图案匹配技术相结合，确保了拼接图像数据的可靠性。这种方法能够在指定的载物台条件下，为 LSM 和 WLI 两种模式提供可追溯、高置信度的拼接数据。
赋能服务与支持
为了保护您的投资和研究完整性，我们始终将您的需求放在首位。 我们承诺为您提供及时的服务和技术支持，助力您实现自己的目标。
依托我们现场校准、全球服务网络和远程支持，以及在显微镜领域逾百年的专业经验，帮助您保持合规性和系统正常运行。
更智能的工作流程
智能自动化，轻松实现高精度测量
OLS5500 的智能自动化和工作流程工具旨在帮助各种熟练程度的用户更加轻松快捷地进行表面分析。 提供倾斜调整辅助功能，倾斜校正变得简单自如。 只需点击一下鼠标，软件即可指示精确调整量，用于调平样品表面。
WLI 可将测量速度提升至高达 42 倍
与传统的 LSM 相比，OLS5500 的 WLI 可将通量最多提高 42 倍。 可测量纳米级表面纹理——这些纹理传统上仅能在 LSM 的高倍率下观察——而不受物镜放大倍率的限制。
样品： 60 nm 台阶高度，测量区域： 1,280 µm。 LSM： 数据采集时间： 630 秒；使用 LSM 50X 物镜 (NA 0.95) 采集的 6×6 拼接图像。 WLI： 数据采集时间： 15 秒；使用 WLI 10X 物镜 (NA 0.3) 采集的单幅图像。
VLSI 标准 83 nm 高度样品 (MPLFLN10LEXT)。
用于快速、精准 3D 重建的 PEAK 算法
PEAK 算法可在低倍率到高倍率范围内提供高度精确的 3D 表面数据，同时显著加快采集速度。 对于台阶高度和形貌测量，PEAK 算法能够智能跳过非必要的 Z 方向扫描，从而更快地获取精准结果。
智能数据检测
智能判定自动检测可靠的数据，提供准确测量的同时，不会丢失细微的高度不规则数据。
左图： 智能判定关闭： 右图： 智能判定开启
智能判定关闭
智能判定开启
应用
资源库
产品资源库
视频
OLS5100 - 智能实验管理助手容差判断
OLS5100 - 通过宏功能实现工作流程自动化
OLS5100 Smart Scan II
