Mikroskoplösungen für
die Herstellung von Halbleitern
Trennen und Polieren
Trennen des Ingots in dünne Siliziumscheiben (Wafer). Polieren der Wafer-Ober- und -Unterseite Dadurch wird die Oberfläche so nivelliert, sodass die Schaltungsstrukturen aufgedruckt werden können. Der polierte Wafer wird dann mit einem Lasergerät markiert.
Prüfung der Oberflächenrauheit eines Wafers
Die Oberfläche des Wafers muss völlig eben sein, um präzise IC-Strukturen aufzudrucken. Daher sind nach dem Polieren detaillierte Prüfungen der Oberflächenrauheit erforderlich.
Unsere Lösung
Unsere Mikroskope der OLS-Serie können die Oberflächenrauheit eines Wafers nach der Oberflächenpolitur im Detail anzeigen. Mit ihnen kann zudem die Oberflächenrauheit auf Mikrometer- und auf Nanoebene gemessen werden.
Oberflächenrauheit eines Wafers
Anwendungsbeispiele
Stufenmessung einer auf einer Glasoberfläche aufgebrachten transparenten Folie
Bestätigung der Abmessungen des Wasserzeichens
Jeder Wafer hat eine Identifikationsmarke, die mit einem Laser aufgebracht wird. Da die Größe der Lasermarkierung immer kleiner wird (Mikrometerbereich), benötigen Anwender präzise Prüfgeräte, die die kleinen Abmessungen messen können.
Unsere Lösung
Unsere Mikroskope der OLS-Serie können die Oberflächenrauheit eines Wafers nach der Oberflächenpolitur genau darstellen. Es kann die Oberflächenrauheit sowohl auf Mikrometer- als auch auf Nanoebene messen.
Übersicht Lasermarkierung
Querschnitt der Lasermarkierung
Anwendungsbeispiele
Prüfung während des MEMS-Fertigungsprozesses/Vermessung von 3D-Formen im Mikrometerbereich mit einem Lasermikroskop