Soluzioni di microscopie per
la produzione di componenti in materiali semiconduttori
Litografia
La litografia consiste nel processo di stampa dei pattern di circuiti integrati nei wafer. Questo processo deve essere ripetuto diverse volte per realizzare pattern di circuiti complessi.
Misura dello spessore di fotoresist nel processo di produzione
L'operatore stampa il pattern progettato nel wafer in silicio mediante la litografia. La gestione dello spessore del fotoresist risulta fondamentale per la corretta stampa del pattern sul wafer.
La nostra soluzione
Attraverso i filtri QWP il nostro microscopio OLS5000 confocale laser è in grado di rimuovere l'effetto a luce diffusa del silicio ed è capace di acquisire con precisione il profilo superficiale. Inoltre la modalità Skip scan contribuisce a velocizzare l'acquisizione.
Microscopio della serie OLS a scansione laser
Fotoresist acquisito mediante un obiettivo MPLAPON100xLEXT
Luce diffusa
Rimozione dell'effetto da luce diffusa
Note applicative
Misura di spessore della pellicola trasparente applicata alla superficie di vetro
Valutazione del rivestimento di un telaio di smartphone: Misura di spessore della pellicola e misura del profilo della superficie 3D mediante un microscopio laser
Controllo del fotoresist residuo
Il fotoresist deve essere completamente rimosso dai wafer alla fine del processo litografico visto che eventuali residui possono creare malfunzionamenti ai circuiti elettronici. Il fotoresist residuo è difficile da ispezionare a causa delle dimensioni ridotte.
La nostra soluzione
Il metodo di osservazione a fluorescenza dei nostri microscopi industriali della serie MX permettono di evidenziare i residui per facilitare l'operazione di ispezione. Per assicurare delle ispezioni altamente efficienti è possibile combinare il microscopio con l'opzionale caricatore automatico di wafer.
Microscopio della serie MX per applicazioni con semiconduttori
(combinazione fluorescenza)
Osservazione fluorescente di residui di fotoresist
Note applicative
Individuare i difetti di produzione sui wafer semiconduttori utilizzando un microscopio digitale
Controllo dei pattern IC su un wafer in seguito a etching
Un wafer in carburo di silicio (SiC) viene usato come substrato per un semiconduttore di energia. Un operatore controlla le dimensioni del pattern nel wafer in seguito a etching. Visto che le dimensioni del pattern sono sempre di più minori, è necessario effettuare i controlli con un'elevata precisione. Inoltre deve essere misurato il pattern (trench) nel wafer SiC. La dimensione del trench nel SiC è di circa 1 μm.
La nostra soluzione
I nostri microscopi della serie OLS possono misurare i pattern di ridotte dimensioni in seguito a etching.
Microscopio della serie OLS a scansione laser
Pattern su wafer SiC
Sezione trasversale di un wafer SiC
Note applicative
Individuare i difetti di produzione sui wafer semiconduttori utilizzando un microscopio digitale
Rilevamento di difetti su pattern
Nei wafer possono evidenziarsi dei difetti in seguito all'inefficienza delle apparecchiature di produzione, a regolazioni erronee, a errori umani e alla contaminazione, pertanto è fondamentale rilevare questi difetti.
La nostra soluzione
I nostri microscopi delle serie MX e DSX possono essere usati per ispezionare i difetti. L'operatore sceglie un metodo di osservazione ottimale per il rilevamento di difetti con un basso ingrandimento e conferma il tipo di difetto mediante un alto ingrandimento. La nostra serie DSX (con ampio tavolino personalizzato) assicura un semplice flusso di lavoro con metodi di osservazione facili da cambiare.
Osservazione DIC con alto ingrandimento
Note applicative
